范庭略：在他离开20年后的今天，当人们重新回忆起陈逸飞，会感到在那个热火朝天的岁月里，时代选择了他，他也拥抱了属于自己的时代。
发布日期：2025-04-30 08:59
张桐
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一份研究论文称，中国研究人员通过构建一个以国际竞争参数运行的极紫外 (EUV) 光源平台，突破了国产先进芯片的障碍。
一份研究论文称，中国研究人员通过构建一个以国际竞争参数运行的极紫外 (EUV) 光源平台，突破了国产先进芯片的障碍。
该团队来自中国科学院上海光学精密机械研究所，由曾任荷兰ASML公司光源技术负责人的林楠领导。
ASML是全球唯一一家 EUV 光刻机制造商，这种光刻机对于生产 7 纳米以下节点的芯片至关重要。由于美国的压力，自 2019 年以来，ASML 被禁止向中国出售其最先进的型号。
ASML是全球唯一一家 EUV 光刻机制造商，这种光刻机对于生产 7 纳米以下节点的芯片至关重要。由于美国的压力，自 2019 年以来，ASML 被禁止向中国出售其最先进的型号。
ASML 首席执行官 Christophe Fouquet 在 4 月 16 日的投资者电话会议上表示，“产生一些 EUV 光是可能的，但中国要制造出 EUV 机器还需要很多很多年”。
林楠于2021年作为国家海外高层次人才引进计划的一部分回国，并成立了负责该论文的先进光刻技术研究小组。
在加入 ASML 之前，林教授曾获得 2023 年诺贝尔物理学奖得主、瑞典皇家科学院院士 Anne L'Huillier 的指导，并获得了欧盟玛丽居里行动计划的奖学金。
该论文发表在3月份的《中国激光杂志》上，文中称，该团队开发了一种激光等离子体（LPP）EUV光源，这是光刻机的主要部件，这可能是中国半导体行业的一个突破。
报道称，该实验平台将支持固态激光驱动等离子体极紫外光源及测量系统的国产化，对我国发展极紫外光刻技术及其关键部件具有重要意义。
根据该论文，林和他的团队建立了一个基于固态激光器的平台，与 ASML 的工业光刻设备不同，后者使用来自二氧化碳驱动技术的光将电路图案转移到硅和其他基板上。
与性能较低的固态平台相比，CO2 激光器可提供超过 10 千瓦的功率和高重复频率。
林和他的同事写道：“虽然商用二氧化碳激光器功率很高，但它们体积庞大，电光转换效率低（低于 5%），而且运行和电力成本高昂。”
“固体脉冲激光器近十年来取得了快速发展，目前已达到千瓦级的功率输出，未来有望达到10倍以上。
“它们体积小巧，电光转换效率约为 20%，有望成为 CO2 激光器的替代品，成为 LPP-EUV 光刻的下一代驱动源。”
论文称，该实验平台取得的成果与国际上同类固态LLP EUV研究成果相当，同时达到了目前商用CO2激光驱动光源转换效率的一半以上。
该团队使用 1 微米固体激光器实现了 3.42% 的最大转换效率，超过了荷兰纳米光刻高级研究中心在 2019 年记录的 3.2% 和苏黎世联邦理工学院在 2021 年记录的 1.8%。
数据对比显示，中国平台的转换效率落后于美国中佛罗里达大学2007年的4.9%，以及日本宇都宫大学的4.7%。
论文称，目前市售的CO2激光驱动的EUV光刻光源的转换效率约为5.5%。
研究人员指出，能够提供足够高转换效率的千瓦级1微米固体激光器已经发展成熟并可实现商业化。
他们写道：“即使转换效率只有 3%，固态激光驱动的 LPP-EUV 光源也能提供瓦级功率，使其适用于 EUV 曝光验证和掩模检查。”
研究人员估计，该平台的理论最大转换效率可能接近6%。论文称，他们计划进行进一步的测量，以优化理论和实验结果。
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林楠于2021年作为国家海外高层次人才引进计划的一部分回国，并成立了负责该论文的先进光刻技术研究小组。
在加入 ASML 之前，林教授曾获得 2023 年诺贝尔物理学奖得主、瑞典皇家科学院院士 Anne L'Huillier 的指导，并获得了欧盟玛丽居里行动计划的奖学金。
该论文发表在3月份的《中国激光杂志》上，文中称，该团队开发了一种激光等离子体（LPP）EUV光源，这是光刻机的主要部件，这可能是中国半导体行业的一个突破。
报道称，该实验平台将支持固态激光驱动等离子体极紫外光源及测量系统的国产化，对我国发展极紫外光刻技术及其关键部件具有重要意义。
根据该论文，林和他的团队建立了一个基于固态激光器的平台，与 ASML 的工业光刻设备不同，后者使用来自二氧化碳驱动技术的光将电路图案转移到硅和其他基板上。
与性能较低的固态平台相比，CO2 激光器可提供超过 10 千瓦的功率和高重复频率。
林和他的同事写道：“虽然商用二氧化碳激光器功率很高，但它们体积庞大，电光转换效率低（低于 5%），而且运行和电力成本高昂。”
“固体脉冲激光器近十年来取得了快速发展，目前已达到千瓦级的功率输出，未来有望达到10倍以上。
“它们体积小巧，电光转换效率约为 20%，有望成为 CO2 激光器的替代品，成为 LPP-EUV 光刻的下一代驱动源。”
论文称，该实验平台取得的成果与国际上同类固态LLP EUV研究成果相当，同时达到了目前商用CO2激光驱动光源转换效率的一半以上。
该团队使用 1 微米固体激光器实现了 3.42% 的最大转换效率，超过了荷兰纳米光刻高级研究中心在 2019 年记录的 3.2% 和苏黎世联邦理工学院在 2021 年记录的 1.8%。
数据对比显示，中国平台的转换效率落后于美国中佛罗里达大学2007年的4.9%，以及日本宇都宫大学的4.7%。
论文称，目前市售的CO2激光驱动的EUV光刻光源的转换效率约为5.5%。
研究人员指出，能够提供足够高转换效率的千瓦级1微米固体激光器已经发展成熟并可实现商业化。
他们写道：“即使转换效率只有 3%，固态激光驱动的 LPP-EUV 光源也能提供瓦级功率，使其适用于 EUV 曝光验证和掩模检查。”
研究人员估计，该平台的理论最大转换效率可能接近6%。论文称，他们计划进行进一步的测量，以优化理论和实验结果。
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2025-04-29 08:03
科技
前ASML首席科学家林楠推动中国EUV最新突破
前ASML首席科学家林楠推动中国EUV最新突破
论文显示，研究团队在固态激光驱动的光刻研究中取得了世界一流的成果。
张桐
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一份研究论文称，中国研究人员通过构建一个以国际竞争参数运行的极紫外 (EUV) 光源平台，突破了国产先进芯片的障碍。
一份研究论文称，中国研究人员通过构建一个以国际竞争参数运行的极紫外 (EUV) 光源平台，突破了国产先进芯片的障碍。
该团队来自中国科学院上海光学精密机械研究所，由曾任荷兰ASML公司光源技术负责人的林楠领导。
ASML是全球唯一一家 EUV 光刻机制造商，这种光刻机对于生产 7 纳米以下节点的芯片至关重要。由于美国的压力，自 2019 年以来，ASML 被禁止向中国出售其最先进的型号。
ASML是全球唯一一家 EUV 光刻机制造商，这种光刻机对于生产 7 纳米以下节点的芯片至关重要。由于美国的压力，自 2019 年以来，ASML 被禁止向中国出售其最先进的型号。
ASML 首席执行官 Christophe Fouquet 在 4 月 16 日的投资者电话会议上表示，“产生一些 EUV 光是可能的，但中国要制造出 EUV 机器还需要很多很多年”。
林楠于2021年作为国家海外高层次人才引进计划的一部分回国，并成立了负责该论文的先进光刻技术研究小组。
在加入 ASML 之前，林教授曾获得 2023 年诺贝尔物理学奖得主、瑞典皇家科学院院士 Anne L'Huillier 的指导，并获得了欧盟玛丽居里行动计划的奖学金。
该论文发表在3月份的《中国激光杂志》上，文中称，该团队开发了一种激光等离子体（LPP）EUV光源，这是光刻机的主要部件，这可能是中国半导体行业的一个突破。
报道称，该实验平台将支持固态激光驱动等离子体极紫外光源及测量系统的国产化，对我国发展极紫外光刻技术及其关键部件具有重要意义。
根据该论文，林和他的团队建立了一个基于固态激光器的平台，与 ASML 的工业光刻设备不同，后者使用来自二氧化碳驱动技术的光将电路图案转移到硅和其他基板上。
与性能较低的固态平台相比，CO2 激光器可提供超过 10 千瓦的功率和高重复频率。
林和他的同事写道：“虽然商用二氧化碳激光器功率很高，但它们体积庞大，电光转换效率低（低于 5%），而且运行和电力成本高昂。”
“固体脉冲激光器近十年来取得了快速发展，目前已达到千瓦级的功率输出，未来有望达到10倍以上。
“它们体积小巧，电光转换效率约为 20%，有望成为 CO2 激光器的替代品，成为 LPP-EUV 光刻的下一代驱动源。”
论文称，该实验平台取得的成果与国际上同类固态LLP EUV研究成果相当，同时达到了目前商用CO2激光驱动光源转换效率的一半以上。
该团队使用 1 微米固体激光器实现了 3.42% 的最大转换效率，超过了荷兰纳米光刻高级研究中心在 2019 年记录的 3.2% 和苏黎世联邦理工学院在 2021 年记录的 1.8%。
数据对比显示，中国平台的转换效率落后于美国中佛罗里达大学2007年的4.9%，以及日本宇都宫大学的4.7%。
论文称，目前市售的CO2激光驱动的EUV光刻光源的转换效率约为5.5%。
研究人员指出，能够提供足够高转换效率的千瓦级1微米固体激光器已经发展成熟并可实现商业化。
他们写道：“即使转换效率只有 3%，固态激光驱动的 LPP-EUV 光源也能提供瓦级功率，使其适用于 EUV 曝光验证和掩模检查。”
研究人员估计，该平台的理论最大转换效率可能接近6%。论文称，他们计划进行进一步的测量，以优化理论和实验结果。
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林楠于2021年作为国家海外高层次人才引进计划的一部分回国，并成立了负责该论文的先进光刻技术研究小组。
在加入 ASML 之前，林教授曾获得 2023 年诺贝尔物理学奖得主、瑞典皇家科学院院士 Anne L'Huillier 的指导，并获得了欧盟玛丽居里行动计划的奖学金。
该论文发表在3月份的《中国激光杂志》上，文中称，该团队开发了一种激光等离子体（LPP）EUV光源，这是光刻机的主要部件，这可能是中国半导体行业的一个突破。
报道称，该实验平台将支持固态激光驱动等离子体极紫外光源及测量系统的国产化，对我国发展极紫外光刻技术及其关键部件具有重要意义。
根据该论文，林和他的团队建立了一个基于固态激光器的平台，与 ASML 的工业光刻设备不同，后者使用来自二氧化碳驱动技术的光将电路图案转移到硅和其他基板上。
与性能较低的固态平台相比，CO2 激光器可提供超过 10 千瓦的功率和高重复频率。
林和他的同事写道：“虽然商用二氧化碳激光器功率很高，但它们体积庞大，电光转换效率低（低于 5%），而且运行和电力成本高昂。”
“固体脉冲激光器近十年来取得了快速发展，目前已达到千瓦级的功率输出，未来有望达到10倍以上。
“它们体积小巧，电光转换效率约为 20%，有望成为 CO2 激光器的替代品，成为 LPP-EUV 光刻的下一代驱动源。”
论文称，该实验平台取得的成果与国际上同类固态LLP EUV研究成果相当，同时达到了目前商用CO2激光驱动光源转换效率的一半以上。
该团队使用 1 微米固体激光器实现了 3.42% 的最大转换效率，超过了荷兰纳米光刻高级研究中心在 2019 年记录的 3.2% 和苏黎世联邦理工学院在 2021 年记录的 1.8%。
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