科学｜罗炜炜：前NASA科学家成中国半导体王牌
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得益于新星创始科学家的推动，中国公司英诺赛克在与美国和欧洲巨头的激烈竞争中脱颖而出。

Dannie Peng

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在美国与中国在尖端芯片技术上脱钩之际，英伟达公布了为下一代人工智能数据中心供电的先进 800 VDC 电源架构的供应商名单。

在美国和欧洲的巨头中，有一个意想不到的名字：Innoscience，一家专门从事氮化镓（GaN）技术的中国公司。

英诺西克标志着中国在高风险的半导体竞赛中日益增强的影响力，而该公司迅速崛起的背后是罗炜炜，他曾是美国宇航局的科学家，在美国花了15年时间推动航空航天技术的发展，之后回到了中国。

罗于 2015 年创立了 Innoscience，大力投资 GaN——一种有望重新定义电力电子效率的材料。

不到六年时间，公司在全球率先量产8英寸硅基氮化镓晶圆，超越行业常规，使我国站在了第三代半导体技术的前沿。

Innoscience目前总部位于苏州，并在香港上市，不仅是全球最大的氮化镓专业制造商，也是中国追求技术自力更生的战略资产。

该公司占据 2024 年全球 GaN 功率器件市场的 29.9%，产能接近每月 70,000 片晶圆，为从快速充电器到人工智能数据中心和防御系统等各种领域提供动力。

罗炜炜，这位曾经低调的科学家，已悄然成为中国半导体霸权争夺战中最具实力的参与者之一。

氮化镓（GaN）是第三代半导体材料，与传统的硅基芯片相比，具有更高的能效和更小的尺寸等优势，广泛应用于充电器、5G基站、雷达系统、军事通信和航空航天等设备。

据Innoscience官网介绍，该公司主要从事集成电路、晶圆、模块等各类GaN产品的设计、研发和生产，服务于消费电子、LED照明、数据中心、新能源汽车等多个领域的应用。

关于罗女士的童年和早期教育的信息有限。但据中国新媒体平台量子位周二报道，她出生于1970年，祖籍浙江省诸暨市。

罗女士在新西兰梅西大学获得应用数学博士学位。1999年，她加入了美国宇航局（NASA）的一个研究机构，并在接下来的15年里从高级项目经理晋升为首席科学家。据量子位AI称，她曾在美国宇航局位于阿拉巴马州亨茨维尔的马歇尔太空飞行中心工作，研究火箭燃料的燃烧。罗女士还创办了两家专注于新材料的公司。

2015年，罗第三次创业，将目光投向了新兴的氮化镓技术。“氮化镓代表着第三代半导体的未来，中国不能再错过这个机会了。”她说道。

虽然当时6英寸氮化镓技术已得到广泛应用，但她的初创公司却瞄准了8英寸芯片的生产，因为更大的晶圆片能够带来更优异的单位成本性能。然而，这也成倍地增加了技术复杂性。

据一家专注于女性创业者的社交媒体平台7月份的报道，罗的团队最初面临许多困难。由于西方国家拒绝出售公司所需的一些关键设备，她带领工程师们去二手市场寻找二手机械。

在优秀团队、大量政府和私人投资以及完善的本地供应链的支持下，Innoscience在不到六年的时间内实现了技术飞跃，并于 2021 年开始量产硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 功率芯片。

该公司的成功也得益于中国在镓领域的主导地位。中国生产了全球98%的镓，并已禁止向美国出口，这使得五角大楼采购基于GaN的芯片变得更加困难和昂贵。

然而，由于华盛顿正在大力限制中国的芯片发展，中美之间的跨境商业争端和地缘政治紧张局势也给这家中国芯片制造商的前景蒙上阴影。

去年11月，美国国际贸易委员会裁定，Innoscience Technology侵犯了其美国竞争对手Efficient Power Conversion Corp.的一项专利。

本月，慕尼黑地区法院下令这家中国制造商停止在德国销售其氮化镓产品，裁定其产品侵犯了德国最大半导体制造商英飞凌科技的一项专利。

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